近日，由北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司和北京易聚律師事務(wù)所聯(lián)合代理的一件專(zhuān)利無(wú)效宣告請(qǐng)求結(jié)案。國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局作出第 563603 號(hào)無(wú)效審查決定，宣告江蘇多維科技有限公司擁有的第 201510005952.7 號(hào)“一種單芯片具有校準(zhǔn)/重置線(xiàn)圈的 Z 軸線(xiàn)性磁電阻傳感器”發(fā)明專(zhuān)利權(quán)全部無(wú)效。

　　專(zhuān)利法第九條第一款規(guī)定：同樣的發(fā)明創(chuàng)造只能授予一項(xiàng)專(zhuān)利權(quán)。但是，同一申請(qǐng)人同日對(duì)同樣的發(fā)明 創(chuàng)造既申請(qǐng)實(shí)用新型專(zhuān)利又申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利，先獲得的實(shí)用新型專(zhuān)利權(quán)尚未終止，且申請(qǐng)人聲明放棄該實(shí)用新型專(zhuān)利權(quán)的，可以授予發(fā)明專(zhuān)利權(quán)。

　　對(duì)于發(fā)明或者實(shí)用新型，專(zhuān)利法第九條中所述的“同樣的發(fā)明創(chuàng)造”是指兩件或者兩件以上申請(qǐng)（或者專(zhuān)利）中存在的保護(hù)范圍相同的權(quán)利要求。

　　在判斷是否為同樣的發(fā)明創(chuàng)造時(shí)，應(yīng)當(dāng)將兩件發(fā)明或者實(shí)用新型專(zhuān)利申請(qǐng)或者專(zhuān)利的權(quán)利要求書(shū)的內(nèi)容進(jìn)行比較，而不是將權(quán)利要求書(shū)與專(zhuān)利申請(qǐng)或者專(zhuān)利文件的全部?jī)?nèi)容進(jìn)行比較。判斷時(shí)，如果一件專(zhuān)利申請(qǐng)或者專(zhuān)利的一項(xiàng)權(quán)利要求與另一件專(zhuān)利申請(qǐng)或者專(zhuān)利的某一項(xiàng)權(quán)利要求保護(hù)范圍相同，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為它們是同樣的發(fā)明創(chuàng)造。

　　由上可見(jiàn)，本專(zhuān)利權(quán)利要求 1 和證據(jù) 1 權(quán)利要求 1 的文字區(qū)別僅在于，本專(zhuān)利權(quán)利要求 1 多限定了“所述校準(zhǔn)線(xiàn)圈為平面校準(zhǔn)線(xiàn)圈或三維校準(zhǔn)線(xiàn)圈”、“所述重置線(xiàn)圈為平面重置線(xiàn)圈或三維重置線(xiàn)圈”，其他特征均相同。

　　本專(zhuān)利要解決的技術(shù)問(wèn)題是，在單芯片 Z 軸線(xiàn)性磁電阻傳感器進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候，測(cè)試用外加磁場(chǎng)設(shè)置不方便、不準(zhǔn)確，為此，本專(zhuān)利在上述單芯片 Z 軸線(xiàn)性磁電阻傳感器的芯片上，引入校準(zhǔn)線(xiàn)圈或/和重置線(xiàn)圈。本專(zhuān)利權(quán)利要求 1 上述爭(zhēng)議特征分別限定了“校準(zhǔn)線(xiàn)圈”和“重置線(xiàn)圈”的“平面”、“三維”布置方式下線(xiàn)圈呈現(xiàn)的形態(tài)，其中線(xiàn)圈的“平面”、“三維”的布置方式是該領(lǐng)域中固有的、必然的布置方式,也即，校準(zhǔn)線(xiàn)圈和重置線(xiàn)圈必然體現(xiàn)為“平面”或“三維”的布置方式。如前所述，鑒于線(xiàn)圈的“平面”、“三維”的布置方式是該領(lǐng)域中固有的、必然的布置方式，證據(jù) 1 權(quán)利要求 1 中校準(zhǔn)線(xiàn)圈和重置線(xiàn)圈也必然體現(xiàn)為“平面”、“三維”的布置方式。本專(zhuān)利權(quán)利要求 1 與證據(jù) 1 權(quán)利要求 1 屬于同樣的發(fā)明創(chuàng)造，保護(hù)范圍相同，本專(zhuān)利權(quán)利要求 1 不符合專(zhuān)利法第九條第一款的規(guī)定。